AMD e IBM han desarrollado una nueva tecnología de transistores de sicilio tensado llamado Dual Stress Liner, que va a permitir incrementar la velocidad del transistor en un 24% utilizando la misma energía que los transistores corrientes.
El sicilio tensado funciona con tecnología de sicilio sobre aislante (SOI), que evita las fugas eléctricas o las conmutaciones ineficaces que se producen habitualmente en los transistores de menor tamaño. Con ello, se produciría un ahorro importante de energía a la vez que una mejora en el rendimiento.
Según explicó el vicepresidente ejecutivo del grupo de productos de AMD, Dirk Meyer, este progreso conseguido por ambas compañías va a suponer la obtención de “la mejor tasa de rendimiento por vatio disponible en la actualidad”. Asimismo, añadió que la intención de AMD es ir integrando paulatinamente esta tecnología en todas sus plataformas de procesadores de 90nm, incluidos sus futuros procesadores de núcleo múltiple AMD64.
Por su parte, la vicepresidenta de asociaciones y desarrollo de tecnologías de IBM Systems & Tecnhology Group, Lisa Su, apuntó que este progreso “demuestra que las empresas que están dispuestas a compartir su experiencia y sus capacidades, pueden encontrar nuevas maneras de vencer los obstáculos y contribuir a llevar a la industria hasta la próxima generación de avances tecnológicos”.
