En el marco del Mobile World Congress, Qualcomm ha realizado una serie de anuncios importantes como un chipset de 64 bit y ocho núcleos con LTE modo 5 global integrado. La compañía ha presentado los Snapdragon 610 y Snapdragon 615 para dispositivos móviles de gama alta con tecnología para gráficos de nueva generación. Los dos nuevos procesadores integran módem LTE de tercera generación, que soporta velocidad de datos de Categoría 4, para las nuevas necesidades de LTE Broadcast y LTE Dual SIM Dual Active (DSDA). Estos desarrollos están diseñados para trabajar con la solución RF360 Front End de la firma. Además del soporte LTE, ambos también integran tecnología 3G, incluyendo HSPA + (hasta 42Mbps), CDMA y TD-SCDMA.
Pero no es la única novedad que el fabricante ha desvelado durante el MWC. También ha anunciado el primer chipset comercial de 20 nm LTE Advanced para automóviles en todo el mundo. Ha añadido la plataforma Qualcomm Gobi 9×30 a las soluciones Snapdragon Automotive, permitiendo características telemáticas avanzadas y funciones de información y entretenimiento para los sistemas de nueva generación. Basado en su plataforma LTE de cuarta generación, Gobi 9×30 soporta LTE Advanced Categoría 6 con velocidades de datos de hasta 300 Mbps de bajada, lo que permite conectividad de banda ancha al vehículo para una navegación mejorada, conexión inalámbrica a internet, a contenidos de información y entretenimiento y a servicios telemáticos.
Por otra parte, Qualcomm lanza el primer chip con amplificador de potencia integrado CMOS y conmutador de antena para dispositivos móviles multibanda 3G/4G LTE. Está disponible en el nuevo Grand S II LTE de ZTE.
Finalmente, la multinacional ha presentado LTE Advanced de categoría 6 junto a Ericsson. Se trata de una plataforma comercial capaz de ofrecer conectividad de datos 4G LTE Advanced de categoría 6, con velocidades de descarga de hasta 300 Mbps para dispositivos informáticos móviles, como portátiles ultrafinos, tabletas y convertibles.
