2019 fue, otra vez, un año excepcional para los semiconductores de potencia de RF para infraestructura inalámbrica registrando un crecimiento respecto a 2018. De hecho, según los datos de ABI Research, las soluciones para 5G representan ya aproximadamente el 50% de las ventas de dispositivos nuevos.
La región de China y Asia-Pacífico continúa siendo el principal impulsor de estos componentes que se venden en el segmento de infraestructura inalámbrica móvil, pero las implementaciones de 5G en América del Norte también entraron en el mercado de manera significativa. Según el director de investigación Lance Wilson: “Históricamente, China y Asia Pacífico han dominado el crecimiento de los dispositivos de potencia de RF para infraestructura inalámbrica, pero ahora otras regiones, principalmente América del Norte y Europa, están comenzando a imponerse”.
Norteamérica y Europa empiezan a imponerse en este mercado, dominado por China y Asia-Pacífico
La interfaz 4G / LTE seguirá siendo un motor tecnológico de ingresos durante los próximos cinco años, pero la industria ahora está viendo importantes comercializaciones de Si LDMOS para 5G. Aunque los dispositivos de GaN (nitruro de galio) tuvieron una participación cada vez mayor, en 2019 todavía los Silicon LDMOS fueron los protagonistas, dominando este segmento por un amplio margen.
“La creciente y crítica necesidad de datos inalámbricos sigue siendo un factor importante para el mercado general de dispositivos semiconductores de potencia de RF”, concluye Wilson.
